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据中国电科二所获悉，该所于近日成功研制出山西省第一片碳化硅芯片。碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，可有效突破传统硅基材料的物理极限，广泛应用于新能源汽车及其充电桩、大数据中心、轨道牵引、高压电网、新能源逆变等领域，成为我国重点发展的战略性先进半导体，对实现碳达峰碳中和具有重要的战略意义。
来源：太原日报
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