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长沙新政:大力发展功率半导体

时间:2022-05-17 13:48:38 来源:admin 浏览:

5月13日,长沙高新区功率半导体及集成电路产业迎来重磅扶持新政——《关于促进长沙高新区功率半导体及集成电路发展的若干政策》正式出炉,长沙高新区将以总额高达5000万元的扶持资金和16条惠企政策,提振企业发展信心,助力高新区功率芯片及集成电路优势产业集聚发展,打造功率芯片产业集群。


“这是长沙高新区首次针对功率半导体及集成电路发展推出的新政,这16条惠企政策,我们希望能直达企业,不断激发企业发展的活力。”长沙高新区经济发展局相关负责人介绍。

记者了解到,新政有“突出招大引强”“强化企业做大做强”“支持企业创新发展”“促进产业链生态融合”四大部分,将重点关注从事功率半导体及集成电路产业的各类企业和组织,支持集成电路设计和设备、功率半导体、第三代半导体及集成电路的行业融合应用,给予企业政策鼓励和真金白银扶持,以此实现园区高质量发展。

新政明确,对实际到位资金额达到1亿元(含)以上的国内外功率半导体及集成电路企业落户长沙高新区,按其实收资本的2.5%给予一次性奖励,单个企业最高1000万元;功率半导体及集成电路领域的独角兽企业、领军企业、国家重大项目承担机构等在长沙高新区设立总部或者建设重大项目的,按照“一事一议”政策给予支持。


新政支持关键领域企业规模化发展。对年度营收首次突破5000万元、1亿元、5亿元的功率半导体及集成电路设计服务类企业,分别给予50万元、100万元、200万元的一次性奖励,晋级补差;对年度营收首次突破1000万元、5000万元、1亿元、10亿元及50亿元的网络安全企业,分别给予10万元、50万元、100万元、500万元及1000万元的一次性奖励,晋级补差。


据悉,长沙高新区功率半导体及集成电路产业,在芯片设计、材料、装备制造、封测等板块聚集了包括景嘉微、飞腾、长城银河在内的企业70余家,占全市一半以上。

此外,长沙高新区是全国唯一实现CPU、GPU、DSP三大芯片设计国产自主的园区,拥有国家第三代半导体技术创新中心(湖南)、湖南省集成电路装备创新中心以及湖南三安、北京智芯、威胜信息共建的碳化硅联合实验室等诸多创新平台。相继引进了湖南三安、中电科48所(楚微半导体)、欧智通、金博股份等行业龙头。其中,湖南三安建设了全球第3条、全国第1条第三代半导体全产业链。

长沙新政:大力发展功率半导体(图1)

长沙安牧泉智能科技有限公司车间。

关于促进长沙高新区功率半导体及集成电路发展的若干政策

长沙新政:大力发展功率半导体(图2)

关于促进长沙高新区功率半导体及集成电路 发展的若干政策 为加快推进我区功率半导体及集成电路产业发展


根据《长 沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策》(长政 办发[2019]35 号)等文件精神,结合我区实际,特制定本政策。 


本政策适用于在长沙高新区注册并依法纳税,具有独立法人资 格,从事功率半导体及集成电路产业的各类企业和组织,重点支持集成电路设计和设备、功率半导体、第三代半导体及集成 电路的行业融合应用。 


第一条 支持招大引强。

对实际到位资金额达到 1 亿元(含) 以上的国内外功率半导体及集成电路企业落户长沙高新区,按 其实收资本的 2.5%给予一次性奖励,单个企业最高 1000 万元, 奖励金额按照企业首次达到上述标准时的实收资本进行核定, 按 4∶3∶3 比例分 3 年兑现。功率半导体及集成电路领域的独 角兽企业、领军企业、国家重大项目承担机构等在长沙高新区 设立总部或者建设重大项目的,按照“一事一议”政策给予支 持。国内外知名院校和研究机构来区设立创新中心或研究院的, 可给予“一事一议”政策支持。


第二条 鼓励平台招商。

每年根据平台招商和产业发展情况, 给予一定资金奖励,每年招商签约落地园区的项目达 10 家(设计类企业研发设计人员不低于 20 人,购地类项目实际固定资产投资不低于 5000 万元),则给予 100 万元奖励,每超过 1 家增 加 10 万元,每个平台当年度最高补助不超过 250 万元。 


第三条 支持企业通过并购重组方式落户到长沙高新区。

园 区内企业通过借壳等方式将国内外上市公司主体实际经营地址 和工商、税务登记关系转移至长沙高新区内的,一次性给予 300 万元奖励。园区内企业(即并购方)并购重组(与非关联方并 购重组)境内企业(即被并购方)且并购交易额达到 2000 万元 (含)以上的,按照并购交易额的 4‰给予补助,单个并购项目 当年度最高补贴 50 万元;并购重组(与非关联方并购重组)境 外企业(即被并购方)且并购交易额在 2000 万元(含)以上的, 按照并购交易额的 5‰给予补助,单个并购项目当年度最高补贴 50 万元。 


第四条 支持企业租房和购房。

对 2022 年 1 月 1 日后注册 的、新租赁入驻高新区的功率半导体及集成电路企业,自注册 之日起,对租赁面积 100 平方米以上且不超过 1000 平方米的企 业(按不超过人均 10 平方米标准补贴),可以连续 3 年享受房租补贴(只限房屋租金),每平米补贴不超过 35 元/月。在高新区注册的功率半导体及集成电路企业,根据企业实际纳税情况,对税收达 500 万元以上的初次购房企业,第 1 年给予高新区财政当年实得部分 80%产业资金支持;第 2 年及第 3 年,均以 上年实缴税收为基数,对新增税收 200 万元以上企业,给予高 新区财政实得(含基数内)80%产业资金支持,总支持额度不超- 3 -过企业购房投资的 80%。 


第五条 支持关键领域企业规模化发展。 

对年度营收首次突破 5000 万元、1 亿元、5 亿元的功率半 导体及集成电路设计服务类企业,分别给予企业 50 万元、100 万元、200 万元的一次性奖励,晋级补差。对年度营收首次突破 1000 万元、5000 万元、1 亿元、10 亿 元及 50 亿元的网络安全企业,分别给予企业 10 万元、50 万元、 100 万元、500 万元及 1000 万元的一次性奖励,晋级补差。

 

第六条 支持企业流片和购买 IP。

对企业的晶圆(MPW)试 流片、全掩膜(FULL MASK)工程产品首次流片、购买 IP 核费 用,分别给予实际交易额 30%、25%、25%的补助,同一企业年度 补助最高不超过 250 万元。 


第七条 鼓励企业资质备案。

对列入“国家鼓励的重点集成 电路设计企业”、“国家鼓励的线宽小于 130 纳米(含)的集 成电路生产企业或项目”清单的企业,给予 50 万元的一次性奖 励。对产品通过汽车车规级芯片认证的企业,给予 100 万元的 一次性奖励。 


第八条 支持重大技术装备首台(套)突破。

对当年新获批 省级首台(套)重大技术装备,且已实现销售的,按照获批省 级资金的50%给予奖励,单个企业奖励资金最高不超过100万元。


第九条 支持创建制造业创新中心和先进产业技术研发平 台。

对当年新获批国家级、省级制造业创新中心,分别给予 2000万元、200 万元奖励,晋级补差。鼓励产业龙头骨干企业和技术 优势单位强强联合,以股份制方式新组建先进产业技术研发平 台,连续 3 年每年给予 100 万元经费补贴。 


第十条 支持功率半导体及集成电路领域高端人才(团队) 来区创新创业。

经认定后以股权投资和资金补助结合的方式可 给予每个高端人才(团队)项目最高 500 万元资金支持,企业 获利后,根据高新区财政实得部分,给予连续 3 年 100%的支持, 同一企业年度补助最高不超过 500 万元。 


第十一条 加大高层次人才奖补支持。

经认定的功率半导体 及集成电路企业高级管理、技术人才,年度工资薪金收入个人 所得税实缴 1 万元/年以上的(含),按上一自然年度个人所得 税实缴金额高新区财政实得部分的 100%予以支持。 


第十二条 加大产业博士和硕士引才支持。

新引进在长沙高 新区企业全职工作的全日制博士,给予 40 万元-60 万元生活补 贴,在麓谷园区购房可给予 10 万元购房补贴。新引进在长沙高 新区创办企业的博士,经评审可给予 30 万元-100 万元创业扶持 资金。归集一批办公场地作为博士创业孵化基地,为博士初创 企业提供三年免费场所和相关服务;对于特别优质创业项目和 创业团队,采取“一事一议”的方式,最高给予 1 亿元创业扶 持资金。新引进在长沙高新区企业全职工作的硕士,在麓谷园 区内购房可给予 3 万元-5 万元购房补贴。 


第十三条 支持培训基地建设。

对于获批为市先进计算领域学生实训(实习)基地的单位,一次性给予实训基地单位 30 万 元奖励。


第十四条 定期组织开展产业链上中下游核心企业市场对 接和技术交流活动。

支持符合条件的功率半导体及集成电路产 品纳入长沙市两型产品目录。对企业采购园区非关联企业生产 的材料、芯片、关键零部件和设备,以及集成电路设计产品和 服务、封装测试服务,按照实际采购金额的 5%给予补贴,单个 企业年度补助最高不超过 250 万元。采购后产品必须用于企业 的生产经营,用于贸易及物流等环节的不予支持。 


第十五条 支持示范应用推广。

支持国产芯片在 5G、新能源 汽车、智能终端、智能网联、北斗等多个领域的融合应用。对 于入选市示范应用项目的,给予示范应用项目技术、产品及服 务提供商实际研发投入 15%的奖励,单个企业年度补助最高不超 过 100 万元。鼓励北斗系统、设备及产品的市场开拓。对经认 定的园区企业新研制的北斗系统、设备及产品的首笔订单,按 销售收入的 6%进行奖励,单个产品最高不超过 60 万元。对经认 定的园区企业生产的北斗系统、设备及产品,按年度销售额度 的 3%给予补贴,单个企业每年最高不超过 150 万元。 


第十六条 支持建设公共技术服务平台。

支持企业、高校和 科研院所建设公共 EDA(电子设计自动化)技术服务、IP 复用 与 SoC(系统级芯片)开发、MPW(多项目晶圆)服务、集成电 路设计工具租赁、检测及认证等公共技术服务平台。经认定后, 对当年新建的公共技术服务平台,实际投入达 2000 万元以上的, 按照实际投资金额的 10%给予补贴,同一平台补贴金额最高不超 过 500 万元;对经认定后运营 2 年以上的集成电路公共服务平 台,按照服务合同实际完成额的 10%给予补贴,同一平台每年补 贴金额最高不超过 200 万元。 


五、附则 


第十七条 本政策自发布之日起施行,有效期 3 年。

本政策 适用对象的同一事项如涉及其他政策同时支持的,按照就高不 就低、不重复享受政策的原则,由适用对象自愿选择申报。 


第十八条 本政策由长沙高新区管委会负责解释。

长沙高新技术产业开发区管理委员会办公室 2022 年 5 月 11 日印发 2021年6月30日印发


关于促进长沙高新区功率半导体及集成电路发展的若干政策



来源:长沙晚报